高级搜索

SIMS中二次离子离化率补偿法——硅中硼的定量分析

    摘要
  • 摘要: <正> 1.引言 二次离子质谱分析法(SIMS)不但灵敏度高,而且可以测定特征元素的深度分布,这是其它类似装置所没有的。目前这种分析法在半导体材料领域里得到了广泛的应用。但是这种分析方法在绝对定量方面存在困难。目前SIMS正在研究的实用定量分析方法有三种:(1)曲线法;(2)热力学解析法和(3)MISR(Matrix Ion Species Ratio)方

     

    • HTML全文
    • 参考文献(1)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)

/

返回文章
返回